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        PECVD石墨舟的制作流程一般分為制絨、分散、去PSG和刻蝕、PECVD、絲網(wǎng)印刷、分選六個(gè)制程，其間PECVD是影響太陽(yáng)電池片外觀(guān)的重要要素之一，下面捷誠(chéng)石墨小編就來(lái)給我們共享一下怎么下降PECVD返工率及進(jìn)步電池片的外觀(guān)質(zhì)量，期望能對(duì)我們有所幫助。
1.PECVD返工片情況
　　對(duì)于晶硅太陽(yáng)電池PECVD鍍膜，主要是指在450℃，以石墨舟為載體，在真空狀態(tài)下通過(guò)射頻電源激起SiH4和NH3輝光放電產(chǎn)生等離子體，在硅片表面產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，生成Si3N4膜的進(jìn)程。鍍膜條件相對(duì)較多，進(jìn)程比較復(fù)雜，因而產(chǎn)生返工片的原因也較多，根據(jù)實(shí)踐呈現(xiàn)的返工片的外觀(guān)情況大致可分為：?jiǎn)芜吷?、邊角色差、中心色差、斑點(diǎn)、水紋印，劃痕、硅脫和失常放電片等。
2.PECVD返工原因及方法
　　鍍膜進(jìn)程中的溫度、石墨舟、射頻功率和氣體流量等要素，都是影響鍍膜均勻性的重要原因，因而不同原因造成的返工片，對(duì)應(yīng)的處理方法也是有差異的。
（1）邊角色差
　　硅片邊角顏色失常，多與相對(duì)應(yīng)方位的石墨舟片的間隔有關(guān)，間隔不同，導(dǎo)致電場(chǎng)改變，然后引起此處鍍膜速率失常，顏色不同于其他方位，構(gòu)成色差。常見(jiàn)原因一般有兩種，一是石墨片之間的陶瓷隔塊破損或缺失；二是對(duì)應(yīng)方位的陶瓷桿松弛或開(kāi)裂。
   　處理方法：檢查對(duì)應(yīng)方位的陶瓷隔塊和陶瓷桿，替換或修理。且每次插片前，對(duì)陶瓷隔塊和陶瓷桿逐個(gè)檢查，可根本根絕此類(lèi)工作產(chǎn)生。
（2）中心色差
　　硅片中心膜厚薄于周邊，構(gòu)成色差，一般有兩種原因，一是工藝氣體流量缺少，導(dǎo)致鍍膜時(shí)硅片中心方位產(chǎn)生的等離子體數(shù)量少，鍍膜速率慢，構(gòu)成色差；二是定位卡點(diǎn)不適宜或磨損嚴(yán)峻，影響硅片與石墨片的接觸，導(dǎo)致硅片與硅片間的電場(chǎng)變?nèi)?，鍍膜速率由硅片邊際至硅片中心逐步變慢，構(gòu)成色差，這種情況一般呈現(xiàn)即會(huì)產(chǎn)生2片返工片。
　　處理方法：（1）檢查、整理進(jìn)氣孔旁的碎硅片，避免堵塞；（2）檢查、修理對(duì)應(yīng)方位的定位卡點(diǎn)。
（3）劃痕
　　劃痕多源自手動(dòng)下片，一種原由于下片進(jìn)程中將吸筆刺進(jìn)石墨舟貼住硅片后，仍有繼續(xù)向下運(yùn)動(dòng)的動(dòng)作，導(dǎo)致產(chǎn)生劃痕或吸筆??；另一種是因定位卡點(diǎn)磨損嚴(yán)峻或裝置不適宜，導(dǎo)致硅片被牢牢卡在與定位卡點(diǎn)接觸的方位，用吸筆未能一次性將硅片取出，產(chǎn)生劃痕。
     處理方法：對(duì)于第一種情況，首先將吸筆吸力調(diào)至適宜，其次，將下片動(dòng)作分解成這樣一個(gè)進(jìn)程：將吸筆刺進(jìn)石墨舟至適宜深度，用吸筆頭貼住硅片，吸住硅片，向上提出吸筆。這樣調(diào)整后，一般不會(huì)呈現(xiàn)因這種情況導(dǎo)致的劃痕。
（4）硅脫
　　硅脫多是由于下片進(jìn)程中硅片與石墨舟陶瓷隔塊或定位卡點(diǎn)的碰撞導(dǎo)致。除掉人為要素外，還有吸筆和定位卡點(diǎn)等要素。
      處理方法：（1）整理吸筆頭和吸筆墊，調(diào)整吸筆吸力；（2）檢查、修理對(duì)應(yīng)方位的石墨舟卡點(diǎn)
（5）失常放電
　　這里所說(shuō)的失常放電是指相鄰電極被硅片導(dǎo)通，在此附近構(gòu)成健壯電場(chǎng)，產(chǎn)生很多等離子體，然后在這部分區(qū)域構(gòu)成彩虹片的進(jìn)程。一般也有兩種原因，一是鍍膜進(jìn)程中，舟內(nèi)的碎硅片搭到相鄰電極上；另一種是PECVD爐內(nèi)底部碎硅片堆積多，在石墨舟被放入爐內(nèi)后，爐內(nèi)底部碎硅片導(dǎo)通了相鄰的兩片電極。

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